RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP

摘要

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, wobei sich der Halbleiterkörper mit der Halbleiterschichtenfolge in einer vertikalen Richtung zwischen einer ersten Hauptfläche (21) und einer zweiten Hauptfläche (22) erstreckt; die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (5), einen ersten Bereich (3) eines ersten Leitungstyps und einen zweiten Bereich (4) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps aufweist; der erste Bereich sich in vertikaler Richtung zwischen der ersten Hauptfläche und dem aktiven Bereich erstreckt; der zweite Bereich sich in vertikaler Richtung zwischen der zweiten Hauptfläche und dem aktiven Bereich erstreckt; zumindest eine Schicht des aktiven Bereichs auf einem arsenidischen Verbindungshalbleitermaterial basiert; und der erste Bereich oder der zweite Bereich bezogen auf die jeweilige Ausdehnung in vertikaler Richtung zumindest zur Hälfte auf einem phosphidischen Verbindungshalbleitermaterial basieren.