| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (100) mit einer ersten Leiterplatte (1), einer in einer vertikalen Richtung (v) von der ersten Leiterplatte (1) beabstandete zweiten Leiterplatte (2), sowie mit einem Halbleiterchip (3, 4), der zwischen der ersten Leiterplatte (1) und der zweiten Leiterplatte (2) angeordnet und zumindest mit der zweiten oberen Metallisierung (21) elektrisch leitend verbunden ist. Die erste untere Metallisierung (12) und die zweite obere Metallisierung (21) die einander zugewandt sind. Die erste Leiterplatte (1) umfasst einen ersten Isolationsträger (10), sowie eine erste obere Metallisierung (11) und eine erste untere Metallisierung (12), die auf einander entgegengesetzten Seiten auf den ersten Isolationsträger (10) aufgebracht sind. Die zweite Leiterplatte (2) umfasst einen zweiten Isolationsträger (20) und eine auf diesen aufgebrachte zweite obere Metallisierung (21). Die erste Leiterplatte (1) umfasst des weiteren eine erste dicke Leiterschicht (13), die zumindest teilweise in den ersten Isolationsträger (10) eingebettet ist und die eine Dicke (d1) von wenigstens 100 µm oder von wenigstens 400 µm aufweist.</p> |
