发明名称 |
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
摘要 |
Eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage hat eine Projektionslichtquelle (LS) und eine Heizlichtquelle (100) für die Erzeugung von Heizlicht (HL), das zumindest teilweise von einem optischen Element (M2) absorbiert wird. Eine Ausleuchtungsoptik (102) richtet das Heizlicht (HL) so auf das optische Element (M2), dass auf einer optischen Fläche (104) des optischen Elements (M2) das Heizlicht (HL) eine vorab festgelegte Intensitätsverteilung (108) hat. Erfindungsgemäß enthält die Ausleuchtungsoptik (102) ein als diffraktives optisches Element (118; 118a, 118b; 218) oder als refraktives Freiformelement (318; 418) ausgebildetes Ablenkelement, welches das darauf auftreffende Heizlicht (HL) gleichzeitig in unterschiedliche Richtung lenkt.
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申请公布号 |
DE102012216284(A1) |
申请公布日期 |
2013.03.28 |
申请号 |
DE201210216284 |
申请日期 |
2012.09.13 |
申请人 |
CARL ZEISS SMT GMBH |
发明人 |
MAJOR, ANDRAS G.;MAUL, MANFRED;WEIS, GUNDULA;HETZLER, JOCHEN |
分类号 |
G03F7/20 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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