Verfahren zum Erzeugen einer Deckschicht aus Siliziumoxid an einem EUV-Spiegel

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer Deckschicht (18) aus Siliziumoxid SiOx an einer EUV-Strahlung (6) reflektierenden Beschichtung (16) eines Spiegels (13) z.B. zur Verwendung in einer EUV-Lithographieanlage oder in einem EUV-Masken-Metrologiesystem, umfassend: Bestrahlen einer Deckschicht (18) aus Silizium-Nitrid SiNx oder aus Silizium-Oxynitrid SiNxOy zum Umwandeln des Silizium-Nitrids SiNx oder des Silizium-Oxynitrids SiNxOy der Deckschicht (18) in Silizium-Oxid SiOx. Die Erfindung betrifft auch einen Spiegel (13) mit einer Deckschicht aus Siliziumoxid SiOX, sowie eine EUV-Lithographieanlage mit mindestens einem solchen Spiegel (13).