一种MOS管阈值电压测试电路

摘要

本发明公开了一种MOS管阈值电压测试电路。本电路通过测试PMOS管和NMOS管不同组合时的阈值电压，或者测试同一组合的多组电压值，然后根据组合的形式，算出MOS管阈值电压的平均值，如此可以得到MOS管实际的阈值电压，给高精度模拟电路设计提供了可靠的参考，同时对代工厂提供的仿真模型的准确性也有一个直观的把握，给后续的电路设计实现提供了依据。

主权项

一种MOS管阈值电压测试电路，其特征在于：一个限流电阻R一端接电源VDD，另一端接电压测试点TP，测试点TP同时与开关K1、K2、K3、K4、K5、K6……Kn的一端相连接；Case1、Case2、Case3、Case4、Case5、Case6……Casen是不同的测试电路结构，其中的MOS管都是栅漏短接的二极管连接方式，衬底都是和源极接一起；开关K1的一端连接TP，另一端连接Case1中PMOS管M1的源极，M1的栅极、漏极接地；开关K2的一端连接TP，另一端连接Case2中NMOS管M2的栅极、漏极，M2的源极接地；开关K3的一端连接TP，另一端连接Case3中PMOS管M3的源极，M3的栅极、漏极接PMOS管M4源极，M4的栅极、漏接地；开关K4的一端连接TP，另一端连接Case4中NMOS管M5的栅极、漏极，M5的源极与NMOS管M6的栅极、漏极连接，M6的源极接地；开关K5的一端连接TP，另一端连接Case5中PMOS管M7的源极，M7的栅极、漏极与NMOS管M8的栅极、漏极连接，M8的源极接地；开关K6的一端连接TP，另一端连接Case6中NMOS管M9的栅极、漏极，M9的源极与PMOS管M10的源极连接，M10的栅极、漏极接地；开关Kn的一端连接TP，另一端连接到Casen，Casen的电路形式可以是任意可能的待测电路。