一种晶圆级的封装结构及其制备方法

摘要

本发明一般涉及一种半导体器件的封装体及其制备方法，更确切的说，本发明涉及一种在晶圆级封装技术中，将芯片进行整体封装而使其并无裸露在塑封料之外的封装结构及其制备方法。在本发明所提供的晶圆级封装结构中，利用重分布技术将分布在芯片顶面的焊垫重新布局设计成位于覆盖芯片的顶部绝缘介质层中的排列焊点，并通过形成在硅衬底中的通孔及通孔中填充的金属材料，将芯片顶面的一些电极或信号端子连接到位于芯片底面的底面电极金属层上。并且晶圆级封装结构中所包含的顶部塑封体与底部塑封体能较好的将芯片无缝隙的密封，形成良好的机械保护和电气保护。

主权项

一种晶圆级封装的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一包含有多个芯片的晶圆，在晶圆的正面形成凸出于晶圆正面并电性连接至芯片焊垫的焊料凸块，塑封所述晶圆的正面，以第一塑封层包覆晶圆的正面及焊料凸块；于晶圆的背面进行研磨；于减薄后的晶圆的背面对晶圆进行切割，形成隔离芯片的切割槽，并且切割槽停止在第一塑封层中；于减薄后的晶圆的背面对晶圆进行塑封，形成包覆减薄后的晶圆的背面的第二塑封层，同时塑封料还填充在切割槽中；研磨第一塑封层以将焊料凸块在减薄后的第一塑封层中予以外露；于所述切割槽中进行切割，将芯片进行分离，所述第一塑封层及第二塑封层包覆所述分离的芯片，所述焊料凸块在减薄后的第一塑封层中予以外露。