| 发明名称 | 铜互连线的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种铜互连线的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有开口；在所述介质层上、所述开口侧壁和底部形成钴锰合金层；在所述开口内填充满金属铜层，形成铜互连线。所述钴锰合金层具有提高铜粘附性的和防止铜电迁移的双重特性，能够满足先进工艺要求。 | ||
| 申请公布号 | CN103000570A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201110276285.8 | 申请日期 | 2011.09.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 彭冰清 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种铜互连线的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有开口；在所述介质层上、所述开口侧壁和底部形成钴锰合金层；在所述开口内填充满金属铜层，形成铜互连线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||