半导体装置

摘要

本发明的目的是提供一种能够高速工作的大型半导体装置。在同一基板上形成具有单晶半导体层的顶栅型晶体管和具有非晶硅(或微晶硅)的半导体层的底栅型晶体管。并且，使用相同的层形成各个晶体管所具有的栅电极，并使用相同的层形成源电极及漏电极。通过这样，减少制造步骤。也就是说，通过对底栅型晶体管的制造工序中仅略微增加步骤，就可以制造两种晶体管。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：在绝缘基板上的第一半导体层；在所述第一半导体层和所述绝缘基板上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的第一导电层及第二导电层；在所述第一导电层、所述第二导电层及所述第一绝缘层上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上的第二半导体层；以及在所述第二半导体层上的第三导电层，其中，所述第一导电层重叠于所述第一半导体层，所述第二导电层重叠于所述第二半导体层，并且，所述第一半导体层作为第一晶体管的激活层起作用，并且，所述第二半导体层作为第二晶体管的激活层起作用，并且，所述第一半导体层的特性不同于所述第二半导体层的特性。