| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101887857B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201010206970.9 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 秋元健吾;本田达也;曾根宽人 |
| 分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲卫涛;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底之上形成栅电极；在栅电极之上形成绝缘膜；在栅电极之上形成氧化物半导体膜，所述绝缘膜夹在氧化物半导体膜和栅电极之间；以250℃至570℃的温度加热氧化物半导体膜；以及在加热氧化物半导体膜之后对氧化物半导体膜进行图形化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||