发明名称 |
溅射靶的制造方法、溅射靶的洗涤方法、溅射靶及溅射装置 |
摘要 |
本发明提供可以降低突发的粒子的发生、实现膜质和薄膜制造效率提高的溅射靶制造方法。本发明的溅射靶的制造方法是磁控管溅射装置用溅射靶的制造方法,其特征在于,准备靶本体,喷射处理所述靶本体表面的非腐蚀区域,超声波洗涤所述非腐蚀区域,蚀刻或者用洗涤液喷洗所述超声波洗涤过的所述非腐蚀区域,再次超声波洗涤所述非腐蚀区域。 |
申请公布号 |
CN101509127B |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN200910007442.8 |
申请日期 |
2009.02.13 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
大城正晴;大场彰 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
陈昕 |
主权项 |
一种溅射靶的制造方法,是磁控管溅射装置用溅射靶的制造方法,其特征在于,准备靶本体,用粒径100~300μm或者粒径200~400μm的喷射材料喷射处理所述靶本体表面的非腐蚀区域使所述非腐蚀区域粗面化至表面粗糙度Ra为1μm以上4μm以下,以外加压力在200kPa以上300kPa以下、18kHz以上19kHz以下频率的超声波的洗涤液的射流超声波洗涤所述非腐蚀区域,用蚀刻液蚀刻所述超声波洗涤过的所述非腐蚀区域,或者用洗涤液喷洗所述超声波洗涤过的所述非腐蚀区域,再次超声波洗涤所述非腐蚀区域。 |
地址 |
日本神奈川 |