半导体器件和形成半导体器件的方法

摘要

一种半导体器件装置包括半导体器件(11)和注入器器件(13)。半导体器件(11)包括第一传导性类型的第一电流电极区(16)、第一传导性类型的第二电流电极区(4)、第一和第二电流电极区之间的漂移区(6)，以及在漂移区中形成的第二传导性类型的至少一个浮置区(5、9)。注入器器件(13)被设置成：当半导体器件被接通时接收激活信号，以及响应于接收到激活信号将第二传导性类型的电荷载流子注入到漂移区(6)和至少一个浮置区(5、9)中。

主权项

一种半导体器件装置，包括：半导体器件(11)，包括：第一传导性类型的所述半导体器件的第一电流电极区(16)，所述第一传导性类型的半导体衬底(4)，所述半导体衬底(4)形成所述半导体器件(11)的第二电流电极区(4)，在所述半导体衬底(4)上形成的半导体层(6)，第二传导性类型的体区(12)，所述体区(12)形成在所述半导体层(6)中并且从所述半导体层(6)的第一表面(51)延伸，其中，所述第一电流电极区(16)是形成在所述半导体层(6)中并且从所述半导体层的第一表面(51)延伸到所述体区(12)中，在所述半导体层(6)中形成的在所述第一电流电极区和所述第二电流电极区之间的所述第一传导性类型的漂移区，以及在所述漂移区中形成的所述第二传导性类型的至少一个浮置区(5、9)，所述装置的特征在于：注入器器件(13)，包括在所述半导体层(6)中形成的横向IGBT器件，所述注入器器件包括：所述第二传导性类型的注入器区(15、17)，所述注入器区(15、17)从所述第一表面(51)延伸到所述半导体层(6)、所述漂移区、所述体区和所述第一电流电极区中，所述注入器区(15、17)用于当所述半导体器件被接通时接收激活信号，以及用于响应于接收到所述激活信号，将向所述体区(12)迁移的所述第二传导性类型的电荷载流子注入到所述漂移区和所述至少一个浮置区(5、9)中以恢复耗尽区域，所述漂移区和所述至少一个浮置区被布置为使得：当所述半导体器件处于关断时，所述至少一个浮置区(5、9)和所述漂移区被完全耗尽。