制备纳米晶电阻转换材料的方法

摘要

本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。

主权项

一种制备纳米晶电阻转换材料的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、沉积厚度小于10nm的具有电阻转换功能材料的超薄薄膜，即首先在具有电极的基底上沉积相变材料薄膜，沉积的相变材料薄膜厚度不超过10nm；B、在真空腔室内采用退火，通过团聚效应形成均匀的具有存储功能的纳米晶颗粒，即在真空中，进行快速退火，因为退火造成的团聚效应，在基底的表面会形成相变材料的纳米颗粒；形成的纳米颗粒具备电阻转换的能力；C、沉积包覆材料，均匀地包覆在具有存储功能的纳米颗粒表面，即沉积包覆材料，包覆材料的厚度为0.2‑5nm，在上述的纳米颗粒的表面就包覆了包覆材料薄层；所述包覆材料薄层即为包覆层，因为包覆层的限制，纳米颗粒的活动会被相应地限制在小范围内，并且阻止纳米晶之间可能的团聚；D、重复步骤A到步骤C，直到得到足够的厚度，形成了所需要的均匀的纳米晶结构，这种材料能够在电信号的作用下，实现材料在高、低电阻之间的转换。