| 发明名称 | 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的同型N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N-区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P-型环，该P-型环作为结终端延伸区域；形成于该P-型环上的n个P+型环，n≥2；形成于该n个P+型环间的SiO2钝化层；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够降低器件表面的峰值电场，有利于提高器件的击穿电压，且通过一次Al离子注入结合刻蚀的方法，避免了多次Al离子注入，器件制备工艺相对简单。 | ||
| 申请公布号 | CN103000698A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210483461.X | 申请日期 | 2012.11.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 白云;刘可安;申华军;汤益丹;王弋宇;韩林超;刘新宇;李诚瞻;史晶晶 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+‑SiC衬底；形成于该N+‑SiC衬底之上的同型N‑‑SiC外延层；形成于该N‑‑SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N‑区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P‑型环，该P‑型环作为结终端延伸(JTE)区域；形成于该P‑型环上的n个P+型环，n≥2；形成于该n个P+型环间的SiO2钝化层；以及形成于该N+‑SiC衬底背面的N型欧姆接触。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||