| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下方的有源层和在所述有源层下方的第二导电型半导体层；在所述发光结构下方的反射电极层；和在所述反射电极层的外周处的外保护层。 | ||
| 申请公布号 | CN101681959B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200880015192.6 | 申请日期 | 2008.06.18 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 李尚烈 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下方的有源层和在所述有源层下方的第二导电型半导体层；在所述发光结构下方的反射电极层；和在所述第二导电型半导体层的外周部分与所述反射电极层之间的外保护层，其中所述第二导电型半导体层由中心部分和包围所述中心部分的所述外周部分组成，所述外周部分的厚度比所述中心部分的厚度低预定的深度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||