发明名称 | 静态随机存取存储器的自动跟踪数据 | ||
摘要 | 本发明揭示自动跟踪数据选择SRAM,其包含:多个存储器单元阵列,其包含:多个存储器单元,其每一者产生第一信号且输出第一读取数据;多个第一缓冲器,其每一者接收所述第一信号且输出第二信号;第一多路复用器,其接收所述多个第一读取数据和所述第一信号;多个第二缓冲器,其每一者接收所述第二信号且输出第三信号;第二多路复用器,其从所述多个存储器单元阵列接收多个第二读取数据且输出第三信号。本发明揭示一种用于在SRAM的读取操作中自动跟踪数据的方法。 | ||
申请公布号 | CN101645305B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
申请号 | CN200810131284.2 | 申请日期 | 2008.08.05 |
申请人 | 辉达公司 | 发明人 | 熊建军;郭靖 |
分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
主权项 | 一种用于在静态随机存取存储器(SRAM)的读取操作中自动跟踪数据的方法,所述方法包含以下步骤:所述SRAM的存储器单元阵列中的每一存储器单元输出第一信号;用第一缓冲器缓冲所述第一信号以产生第二信号,且接着将所述第二信号输入到第一多路复用器;所述存储器单元阵列中的所述每一存储器单元将第一读取数据输出到所述第一多路复用器;所述第一多路复用器输出所述存储器单元阵列的第二读取数据;将所述存储器单元阵列所产生的多个所述第一信号输入到第二缓冲器以产生第三信号;将所述存储器单元阵列的所述第二读取数据和所述第三信号输入到第二多路复用器;以及所述第二多路复用器输出第三读取数据,其中,所述第一信号是读出放大器启用信号,所述第二信号是选择信号,所述第三信号是选择信号。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |