| 发明名称 | 静电放电结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有与晶片通孔结构的连接的静电放电(ESD)结构及其制造方法。该结构包括被串联电连接到晶片通孔的静电放电(ESD)网络。更具体地，ESD电路包括接合衬垫和位于该接合衬垫下方的ESD网络。该ESD电路还包括晶片通孔结构，该晶片通孔结构被直接串联电连接到ESD网络且还被电连接到VSS。 | ||
| 申请公布号 | CN101930973B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201010198536.0 | 申请日期 | 2010.06.07 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | E·G·盖布里斯莱希;S·H·沃尔德曼 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种静电放电结构，包括静电放电网络且被串联电连接到晶片通孔，其中所述静电放电网络包括位于接合衬垫下方的电感线圈，所述电感线圈具有小于10欧姆的电阻且被构造为承载1安培到10安培的电流，其中所述晶片通孔被直接电连接到VSS。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||