一种体接触器件结构及其制造方法

摘要

一种体接触器件结构及其制造方法，本发明是在形成伪栅堆叠后，去除伪栅堆叠的一端以形成开口，伪栅堆叠未去除部分为体引出堆叠，体引出堆叠的体引出层直接和衬底接触；而后在开口内形成替代栅堆叠；而后在体引出堆叠中的体引出层上形成体接触。本发明所述方法形成的体接触器件结构有效减小了寄生效应和器件面积，提高了器件结构的性能。

主权项

一种制造体接触器件结构的方法，所述方法包括：A.提供半导体衬底，所述半导体衬底内有隔离区；B.在所述半导体衬底和隔离区上形成伪栅堆叠，以及在所述伪栅堆叠侧壁形成侧墙，以及在所述半导体衬底内形成源极区和漏极区，并覆盖所述源极区、漏极区以及隔离区形成绝缘介电层；C.将伪栅堆叠一端去除，暴露衬底和隔离区以形成开口，其中伪栅堆叠未去除部分为体引出堆叠，所述体引出堆叠包括体引出层，所述体引出层直接和衬底接触；D.在所述开口内形成替代栅堆叠，所述替代栅堆叠包括栅介质层和栅电极；E.在所述源极区和漏极区上形成源漏接触，在所述体引出堆叠中的体引出层上形成体接触以及在替代栅堆叠的栅电极上形成栅极接触。