| 发明名称 | 分立栅快闪存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种分立栅快闪存储器及其制造方法，其中所述存储器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面区以及第二表面区；快闪存储单元，所述快闪存储单元包括：位于半导体衬底表面、第一表面区以及第二表面区之间的选择栅；分别形成于选择栅两个相对竖直侧，且对应于第一表面区、第二表面区的第一绝缘侧壁以及第二绝缘侧壁；覆盖半导体衬底第一表面区以及第二表面区的隧穿氧化层；位于第一绝缘侧壁外侧，且覆盖第一表面区上隧穿氧化层部分表面的浮栅；覆盖浮栅并与浮栅耦合的控制栅。与现有的分立栅快闪存储器相比，本发明节省了专用的擦除栅，结构以及读写操作更为简单，工艺易于实现，因而适于小尺寸下使用，满足器件按比例缩小的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN102044545B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200910197442.9 | 申请日期 | 2009.10.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 杨左娅;杨芸;洪中山;金达;陆维 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种分立栅快闪存储器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面区以及第二表面区；快闪存储单元，所述快闪存储单元包括：位于半导体衬底表面、第一表面区以及第二表面区之间的选择栅；分别形成于选择栅两个相对竖直侧，且对应于第一表面区、第二表面区的第一绝缘侧壁以及第二绝缘侧壁；覆盖半导体衬底第一表面区以及第二表面区的隧穿氧化层；位于第一绝缘侧壁外侧，且覆盖第一表面区上隧穿氧化层部分表面的浮栅；覆盖浮栅并与浮栅耦合的控制栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||