发明名称 |
互补金属氧化物半导体图像传感器和相关的操作方法 |
摘要 |
提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。该CMOS图像传感器包括具有矩阵型单位像素阵列的像素阵列单元,每个单位像素包括将在光电转换元件中收集的电荷传送给电荷检测元件的电荷传送元件。电荷传送元件还接收比外部电源电压高的升压信号。 |
申请公布号 |
CN1798272B |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN200510003493.5 |
申请日期 |
2005.11.08 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
卢宰燮;南丁铉 |
分类号 |
H04N5/374(2011.01)I;H04N5/359(2011.01)I;H04N5/369(2011.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/374(2011.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临;王志森 |
主权项 |
一种CMOS图像传感器,包括:像素阵列单元,其包括单位像素行,每个单位像素接收电源电压并且包括电荷传送元件,该电荷传送元件被配置为将电荷由光电转换元件传送给电荷检测元件,其中电荷传送元件包括具有源极、漏极和栅极的晶体管;和行驱动单元,其被配置成给电荷传送元件的栅极提供电荷传送信号,其中电荷传送信号仅在电荷传送周期被电压高于电源电压的升压信号升高,其中行驱动单元包括:驱动信号提供部分,其被配置成提供电荷传送处理信号;升压部分,其被配置成提供升压信号;和开关部分,其被配置成接收电荷传送处理信号和升压信号,并且提供电荷传送信号。 |
地址 |
韩国京畿道 |