| 发明名称 | 一种铜互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种铜互连结构及其形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；刻蚀所述介质层，形成暴露衬底的沟槽；在所述沟槽底部，侧壁及所述介质层表面形成一层钌扩散阻挡层；在表面形成有钌扩散阻挡层的所述沟槽内填充金属铜；去除所述沟槽外的钌扩散阻挡层及金属铜。本发明通过采用新型材料制备扩散阻挡层，减薄了扩散阻挡层厚度，降低了薄膜电阻率，同时实现了铜的无籽晶层电镀，简化了工艺步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN103000575A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210353210.X | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 曾绍海 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；刻蚀所述介质层，形成暴露衬底的沟槽；在所述沟槽底部，侧壁及所述介质层表面形成一层钌扩散阻挡层；在表面形成有钌扩散阻挡层的所述沟槽内填充金属铜；去除所述沟槽外的钌扩散阻挡层及金属铜。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科高斯路497号 | ||