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经营范围
发明名称
METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR DIODES
摘要
申请公布号
US3432919(A)
申请公布日期
1969.03.18
申请号
USD3432919
申请日期
1966.10.31
申请人
RAYTHEON CO.
发明人
WARREN C. ROSVOLD
分类号
H01L21/205;H01L21/308;H01L21/316;H01L21/58;H01L29/00;(IPC1-7):01J17/00;01L7/00;01L5/00
主分类号
H01L21/205
代理机构
代理人
主权项
地址
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