发明名称 |
一种基于磁场过滤而形成高磁场梯度的单细胞图形化芯片 |
摘要 |
本发明公开了属于生物微系统技术领域的一种基于磁场过滤而形成高磁场梯度的单细胞图形化芯片。此芯片由磁源、磁过滤器和生物兼容性修饰层依次层叠而成,其中磁过滤器为带小孔阵列的永磁体。本发明的芯片利用磁源和磁过滤器形成梯度很高的磁陷阱阵列,将磁性颗粒向陷阱中心吸引,磁性颗粒一旦进入磁场内部,若没有足够的力就无法使其脱离该磁场的束缚,而形成的单个磁陷阱大小与单个细胞直径大小接近,所以满足一个磁陷阱只吸引一个细胞,保证形成的细胞阵列为单细胞阵列。该发明提高了细胞图形化的效率,缩短细胞图形化的周期,最为突出的特点是该芯片的制作工艺非常简单。 |
申请公布号 |
CN102994379A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201210479236.9 |
申请日期 |
2012.11.22 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
任大海;尤政;王俊;谢锦宇 |
分类号 |
C12M1/34(2006.01)I |
主分类号 |
C12M1/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 |
代理人 |
陈波 |
主权项 |
一种基于磁场过滤而形成高磁场梯度的单细胞图形化芯片,其特征在于,由磁源、磁过滤器和生物兼容性修饰层依次层叠而成,所述磁源为磁场强度大于0.2T的永磁体;所述磁过滤器为具有小孔阵列的铁磁体;所述生物兼容性修饰层为二氧化钛、二氧化硅、聚乙烯、聚乳酸、聚酸酐、聚羟基烷酸酯或聚氨基酸。 |
地址 |
100084 北京市海淀区100084-82信箱 |