| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅区；在栅区相对两侧的半导体衬底中的具有应力结构的源区和漏区，其中，在沿所述栅区的长度方向上，所述源区的宽度大于漏区的宽度。通过在栅区两侧形成有具有应力结构的源区和漏区，并且在沿沟道方向上源区的宽度大于漏区的宽度，这样，由于源区的面积增大，则大大增加了源区的应力积累，而在形成器件的空间有限时，源区的应力增大能够大大增加载流子在沟道中的迁移率，从而提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103000689A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201110277757.1 | 申请日期 | 2011.09.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅区；在栅区相对两侧的半导体衬底中的具有应力结构的源区和漏区；其中，在沿所述栅区的长度方向上，所述源区的宽度大于漏区的宽度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||