CMOS图像传感器的形成方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器的形成方法，在本发明的一个技术方案中，利用第一次光刻工艺形成第一图形化光刻胶层，第一图形化光刻胶层用于定义第一浅沟槽的位置，去除第一图形化光刻胶层之后，利用第二次光刻工艺形成第二图形化光刻胶层，第二图形化光刻胶层用于定义第二浅沟槽的位置，继续以第二图形化光刻胶层为掩模进行离子注入以在第二浅沟槽的表面形成第一掺杂区，因而第二浅沟槽的底部不会残留光刻胶层，进而不会出现残留光刻胶会影响位于第二浅沟槽表面的第一掺杂区的形成问题。

主权项

一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围电路区域及像素区域；在所述半导体衬底上形成第一图形化光刻胶层，以所述第一图形化光刻胶层为掩模对半导体衬底进行刻蚀，以形成第一浅沟槽，所述第一浅沟槽设置在所述半导体衬底外围电路区域与像素区域之间；去除残余的第一图形化光刻胶层之后，在所述半导体衬底上形成第二图形化光刻胶层，所述第一浅沟槽被所述第二图形化光刻胶层覆盖住，以所述第二图形化光刻胶层为掩模对半导体衬底进行刻蚀，以形成设置在半导体衬底像素区域的第二浅沟槽；以所述第二图形化光刻胶层为掩模，在所述第二浅沟槽的表面形成第一掺杂区；去除残余的第二图形化光刻胶层之后，向所述第一浅沟槽及第二浅沟槽内填充绝缘层，以形成第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底像素区域形成光电转换元件。