一种超高Q值片上可调电感

摘要

一种超高Q值片上可调电感，包括电感单元、电容调控单元和负阻调控单元，电感单元设有电磁耦合的主电感及副电感，主电感的两端与射频输出连接；电容调控单元设有两个串接的可变电容C1及C2，其串接端连接外部控制信号VC1，可变电容C1及C2的另一端分别连接副电感的同相端及反相端；负阻调控单元设有五个晶体管，晶体管M1的栅极连接外部输入的控制信号VC2，晶体管M1的源极接地，漏极与晶体管M2及M3的源极连接在一起，晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极、晶体管M5的漏极、晶体管M4的栅极以及副电感的反相端连接在一起，晶体管M3的栅极与晶体管M2的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M5的栅极以及副电感的同相端连接在一起，晶体管M4及M5的源极均连接电源VDD。

主权项

一种超高Q值片上可调电感，其特征是：包括电感单元、电容调控单元和负阻调控单元，其中：电感单元设有一个主电感和一个副电感，两者之间电磁耦合，主电感的两端直接与射频电路输出连接；电容调控单元设有两个串接的可变电容C1及C2，其串接端作为控制端连接外部输入的控制信号VC1，可变电容C1及C2的另一端分别连接电感单元中副电感的同相端及反相端；负阻调控单元设有五个晶体管M1、M2、M3、M4及M5，晶体管M1的栅极作为控制端连接外部输入的另一控制信号VC2，晶体管M1的源极接地，晶体管M1的漏极与晶体管M2及M3的源极连接在一起，晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极、晶体管M5的漏极、晶体管M4的栅极以及电感单元中副电感的反相端连接在一起，晶体管M3的栅极与晶体管M2的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M5的栅极以及电感单元中副电感的同相端连接在一起，晶体管M4及M5的源极均连接电源VDD。