| 发明名称 |
薄膜晶体管结构及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的沟道层、栅极、形成于栅极与沟道层之间的栅绝缘层、以及分别位于沟道层左右两边并与沟道层相导通的源极和漏极，所述沟道层的材料为氮化物半导体材料。采用氮化物半导体作为沟道层，可以提高薄膜晶体管的性能的稳定性，以提升薄膜晶体管的质量。本发明还提供一种薄膜晶体管的制造方法。 |
| 申请公布号 |
CN103000692A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
| 申请号 |
CN201110271229.5 |
申请日期 |
2011.09.14 |
| 申请人 |
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
曾坚信 |
| 分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的沟道层、栅极、形成于栅极与沟道层之间的栅绝缘层、以及分别位于沟道层左右两边并与沟道层相导通的源极和漏极，其特征在于：所述沟道层的材料为氮化物半导体材料。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
