发明名称 |
高K金属栅极器件的接触件 |
摘要 |
一种制造集成电路的方法,包括:提供具有高k介电层的衬底,并且将多晶硅栅极结构设置在高k介电层上方。对邻近多晶硅栅极结构的衬底实施掺杂工艺,此后,去除多晶硅栅极结构并且利用金属栅极结构进行替换。将层间介电层(ILD)沉积在金属栅极结构和掺杂衬底上方,并且通过干式蚀刻工艺在ILD中形成到达金属栅极结构的顶面的沟槽。在干式蚀刻工艺之后,通过湿式蚀刻工艺形成邻近金属栅极结构的顶面的底部切口。然后,利用导电材料填充沟槽和底部切口。本发明还提供了一种高K金属栅极器件的接触件。 |
申请公布号 |
CN103000572A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201210295522.X |
申请日期 |
2012.08.14 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
庄学理;钟升镇;吴伟成;杨宝如;林焕哲;李再春 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种制造集成电路的方法,所述方法包括:提供衬底;在所述衬底上方形成金属结构;在所述金属结构上方提供电介质;实施第一蚀刻工艺,从而在所述金属结构上方的所述电介质中形成沟槽;实施第二各向同性蚀刻工艺,从而在所述金属结构中形成底部切口,所述底部切口邻近所述沟槽;以及用导电材料填充所述沟槽和所述底部切口,直至与所述金属结构相接触。 |
地址 |
中国台湾新竹 |