发明名称 |
发光二极管构造及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种发光二极管构造及其制造方法,所述发光二极管构造包含一壳体、一发光二极管芯片及一透光封装部。所述壳体具有一凹部及至少一凸台,所述发光二极管芯片设于所述凹部内。所述透光封装部通过一点胶工具向所述凹部注入封装材料以形成一透光封装部,所述透光封装部的边缘与所述凹部的边缘重合,并包覆所述凹部内的发光二极管芯片,且具有高度小于所述凸台的球形表面。本发明发光二极管构造的发光二极管芯片通过所述透光封装部的球形表面,可以大视角将光线射出,并提高光线的出光效率。 |
申请公布号 |
CN102185082B |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201110087917.6 |
申请日期 |
2011.04.08 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
张光耀;胡哲彰;张静 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
欧阳启明 |
主权项 |
一种发光二极管构造,其特征在于:所述发光二极管构造包含:一壳体,所述壳体具有一凹部及凸台,所述凸台设于所述壳体的周缘;一发光二极管芯片,设于所述壳体的凹部内;及一透光封装部,封装所述壳体的凹部,所述透光封装部的边缘与所述凹部的边缘重合,并包覆所述凹部内的发光二极管芯片,且具有高度小于所述凸台的球形上表面。 |
地址 |
518106 广东省深圳市光明新区公明办事处塘家社区观光路汇业科技园综合楼1第一层B区 |