半导体辐射敏感装置及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体传感器领域，公开了一种半导体辐射敏感装置及其制作方法，该装置包括至少一个辐射敏感单元，辐射敏感单元包括：第一基体、第一柱状电极和第二柱状电极；第一基体包含第一表面和第二表面；第一柱状电极包含第一金属柱和环绕第一金属柱的N型掺杂硅；第二柱状电极包含第二金属柱和环绕第二金属柱的P型掺杂硅；第一柱状电极和第二柱状电极嵌在第一基体内部，并贯穿第一基体的第一表面和第二表面；所述第二金属柱为两个以上，且排列成正多边形；所述第一柱状电极位于所述正多边形的几何中心。本发明可以实现薄的敏感装置死层厚度、较小的等效电容、较短的信号漂移过程；从而能提高能量分辨率、降低响应时间和降低能量探测下限。

主权项

一种半导体辐射敏感装置，其特征在于，包括至少一个辐射敏感单元，所述辐射敏感单元包括：第一基体、第一柱状电极和第二柱状电极；所述第一基体包含第一表面和第二表面；所述第一柱状电极包含第一金属柱和环绕所述第一金属柱的N型掺杂硅；所述第二柱状电极包含第二金属柱和环绕所述第二金属柱的P型掺杂硅；所述第一柱状电极和所述第二柱状电极嵌在所述第一基体内部，并贯穿所述第一基体的第一表面和第二表面；所述第二金属柱为三个以上，且排列成正多边形；所述第一柱状电极位于所述正多边形的几何中心。