| 发明名称 | 光电转换装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种通过高速制成覆盖良好的n层来同时实现高生产性和高转换效率的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法包含利用等离子体CVD法在基板(1)上形成硅系的光电转换层(3)的工序，其特征在于，形成所述光电转换层(3)的工序包含形成由晶质硅构成的i层(42)的工序和在该i层(42)上以氢稀释率0倍以上且10倍以下的条件形成n层(43)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102105992B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200980128959.0 | 申请日期 | 2009.08.18 |
| 申请人 | 三菱重工业株式会社 | 发明人 | 山口贤刚;坂井智嗣;竹内良昭 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 高培培;车文 |
| 主权项 | 一种光电转换装置的制造方法，包含利用等离子体CVD法在基板上形成硅系的光电转换层的工序，其特征在于，形成所述光电转换层的工序包含：形成由晶质硅构成的i层的工序；及以氢稀释率0倍以上且10倍以下的条件在该i层上形成n层的工序，形成所述n层的工序包含形成第一n层的工序和形成第二n层的工序，所述第一n层以氢稀释率0倍以上且10倍以下的条件形成，所述第二n层以与所述第一n层不同的氢稀释率条件形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||