复合掩模及其制作方法

摘要

本发明提供一种复合掩模及其制作方法，其中制作方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成具有第一条形图案的第一掩模层；在第一掩模层以及半导体衬底的表面形成第二掩模层，所述第二掩模层具有垂直于所述第一条形图案的第二条形图案，所述第二掩模层与第一掩模层的材质不相同；以第二掩模层为掩模刻蚀所述第一掩模层直至露出半导体衬底；采用定向的离子注入工艺轰击第二掩模层的其中一侧面，形成硬化侧壁；采用等离子刻蚀工艺对第二掩模层进行外形修正，减小所述第二掩模层的宽度，露出底部的第一掩模层。与现有技术相比，本发明形成的复合掩模避免了光学邻近效应产生的图形畸变，适合用于制作小特征尺寸的狗骨状互连结构。

主权项

一种复合掩模的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成具有第一条形图案的第一掩模层；在所述第一掩模层以及半导体衬底的表面形成第二掩模层，所述第二掩模层具有垂直于第一条形图案的第二条形图案，所述第二掩模层与第一掩模层的材质不相同；以第二掩模层为掩模刻蚀所述第一掩模层直至露出半导体衬底；采用定向的离子注入工艺轰击第二掩模层的其中一侧面，形成硬化侧壁；采用等离子刻蚀工艺对第二掩模层进行外形修正，减小所述第二掩模层的宽度，露出底部的第一掩模层，所述等离子刻蚀工艺中使用的刻蚀气体对第二掩模层具有更大的选择刻蚀比，而对第一掩模层不具备刻蚀性。