发明名称 存储器阵列中的断裂字线的检测
摘要 给出了用于检测存储器阵列中的断裂字线的技术和相应的电路。在一个示例实施例中,对沿着字线的第一多个存储器单元进行存储器电路的编程操作,该编程操作包括一系列交替的编程脉冲和验证操作,当被验证过时,存储器单元各自屏蔽(lock out)进一步的编程脉冲。基于所述第一多个存储器单元的被验证为已编程的第一子集的存储器单元的编程脉冲的数量相对于所述第一多个存储器单元的被验证为已编程的第二子集的存储器单元的编程脉冲的数量,确定所述字线是否有缺陷,其中所述第一子集和所述第二子集每个包含多个存储器单元并且不相同。
申请公布号 CN103003886A 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN201180034019.2 申请日期 2011.06.24
申请人 桑迪士克科技股份有限公司 发明人 G.S.沙;李艳
分类号 G11C29/02(2006.01)I 主分类号 G11C29/02(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 黄小临
主权项 一种在具有沿着字线形成的阵列的存储器单元的存储器电路中确定字线是否有缺陷的方法,该方法包括:对沿着第一字线的第一多个存储器单元进行编程操作,该编程操作包括一系列交替的编程脉冲和验证操作,当被验证过时,存储器单元各自屏蔽进一步的编程脉冲;以及基于所述第一多个存储器单元的被验证为已编程的第一子集的存储器单元的编程脉冲的数量相对于所述第一多个存储器单元的被验证为已编程的第二子集的存储器单元的编程脉冲的数量,确定第一字线是否有缺陷,其中所述第一子集和所述第二子集每个包含多个存储器单元并且不相同。
地址 美国得克萨斯州