| 发明名称 | 二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种二极管，其具备半导体层叠层体(102)、在半导体层叠层体(102)之上彼此空出间隔而形成的阴极电极(103)及阳极电极(104)、以及覆盖半导体层叠层体(102)之上的保护膜(106)。半导体层叠层体(102)包含第1氮化物半导体层(121)以及带隙大于第1半导体层(121)的第2氮化物半导体层(122)，且具有沟道。阳极电极(104)具有：在半导体层叠层体(102)之上形成的p型的第3氮化物半导体层(143)、与第3氮化物半导体层(143)欧姆接触的第1金属层(141)、以及与第1金属层(141)接触且与沟道欧姆接触的第2金属层(142)。 | ||
| 申请公布号 | CN103003948A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201180034849.5 | 申请日期 | 2011.04.22 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 柴田大辅 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种二极管，具备：半导体层叠层体，包含在基板的主面之上形成的第1氮化物半导体层、以及在该第1氮化物半导体层之上形成且带隙大于所述第1氮化物半导体层的第2氮化物半导体层，并具有电子在与所述基板的主面平行的方向上转移的沟道；阴极电极及阳极电极，在所述半导体层叠层体之上彼此空出间隔而形成；和保护膜，覆盖所述半导体层叠层体之上的所述阴极电极与所述阳极电极之间的区域，所述阳极电极具有：p型的第3氮化物半导体层，形成在所述半导体层叠层体之上；第1金属层，形成在所述第3氮化物半导体层之上且与所述第3氮化物半导体层欧姆接触；和第2金属层，与所述第1金属层接触、且在隔着所述第3氮化物半导体层而与所述阴极电极相反侧的位置处与所述沟道欧姆接触。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||