画素结构的制造方法以及导体结构的制造方法

摘要

一种导体结构的制造方法。于底层上形成第一导体层与第一图案化光阻层。以第一图案化光阻层为罩幕，对第一导体层进行等向性移除制程以形成第一图案化导体层。等向性移除制程移除第一导体层的第一部分以及位于部分第一图案化光阻层下方的第二部分以暴露出底层的第一表面区以及第二表面区。形成第二导体层，其自断开而包括覆盖第一图案化光阻层的剥除部分以及位于第一表面区上的保留部分。移除第一图案化光阻层以及剥除部分且留下保留部分以形成第二图案化导体层。第一图案化导体层与第二图案化导体层之间具有暴露出第二表面区的间隙。

主权项

一种画素结构的制造方法，其特征在于：包括：于一基板上形成一闸极、一绝缘层以及一通道层，其中该绝缘层覆盖该闸极，该通道层配置于该绝缘层上且对应该闸极设置；于该基板上形成一第一导体层，该第一导体层覆盖该绝缘层以及该通道层；于该第一导体层上形成一第一图案化光阻层，该第一图案化光阻层覆盖部分该第一导体层，且暴露出该第一导体层的一第一部分，该第一图案化光阻层具有由该第一图案化光阻层的侧面往内部延伸一段距离的一第一边缘区；以该第一图案化光阻层为罩幕，对该第一导体层进行一等向性移除制程以形成一第一图案化导体层，其中该等向性移除制程移除该第一导体层的该第一部分以暴露出该通道层的一第一表面区，该等向性移除制程移除位于该第一边缘区下方的该第一导体层的一第二部分以暴露出该通道层的一第二表面区，并于该第一边缘区的该第一图案化光阻层与该通道层之间形成一断差；形成一第二导体层，该第二导体层在该断差自断开而包括覆盖于该第一图案化光阻层的一剥除部分以及位于该第一表面区上的一保留部分；以及移除该第一图案化光阻层以及覆盖于该第一图案化光阻层的该剥除部分且保留位于该第一表面区上的该保留部分以形成一第二图案化导体层，其中该第一图案化导体层与该第二图案化导体层之间具有一间隙，且该间隙暴露出该第二表面区。