| 发明名称 | 镀膜薄膜晶体管基板及其制备方法和薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种镀膜薄膜晶体管基板，包括薄膜晶体管基底、置于薄膜晶体管基底上的SiO2层及置于SiO2层上的掺铝氧化锌层。上述镀膜薄膜晶体管基板自身具有防ESD的特性，同时还具有高透光性的特性。本发明还提供一种镀膜薄膜晶体管基板的制备方法及其在薄膜晶体管领域的应用，该制备方法采用真空磁控溅射镀膜法进行镀膜，具有反应易于控制、适于工业化生产的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103000637A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210512616.8 | 申请日期 | 2012.12.04 |
| 申请人 | 江西沃格光电科技有限公司 | 发明人 | 张迅;张伯伦;孙一绮;易伟华 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 吴平 |
| 主权项 | 一种镀膜薄膜晶体管基板，其特征在于，包括薄膜晶体管基底、设于所述薄膜晶体管基底上的SiO2层及设于所述SiO2层上的掺铝氧化锌层。 | ||
| 地址 | 338004 江西省新余市高新技术产业开发区西城大道沃格工业园 | ||