发明名称 | 具有含多个沟道子区域的传输栅极的图像传感器 | ||
摘要 | 本发明涉及具有含多个沟道子区域的传输栅极的图像传感器,并公开了一种图像传感器像素,其包括光敏元件、浮动扩散区域及传输晶体管沟道区域。传输晶体管沟道区域布置于感光区域与浮动扩散区域之间。传输晶体管沟道区域包括具有第一掺杂浓度的第一沟道子区域及具有第二掺杂浓度的第二沟道子区域,第二掺杂浓度不同于第一掺杂浓度。 | ||
申请公布号 | CN101997016B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
申请号 | CN201010250961.X | 申请日期 | 2010.08.09 |
申请人 | 全视科技有限公司 | 发明人 | 野崎秀俊;代铁军 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
主权项 | 一种图像传感器像素,包括:第一导电类型的光敏元件;所述第一导电类型的浮动扩散区域;传输晶体管沟道区域,其布置在所述光敏元件与所述浮动扩散区域之间,其中,所述传输晶体管沟道区域包括具有第一掺杂浓度的第二导电类型的第一沟道子区域以及具有第二掺杂浓度的第二沟道子区域,所述第二掺杂浓度不同于所述第一掺杂浓度,其中,所述第一沟道子区域在横向上布置在所述光敏元件与所述第二沟道子区域之间;传输晶体管栅极,其布置于所述传输晶体管沟道区域的至少一部分上;所述第二导电类型的掺杂阱,其具有浅沟槽隔离(STI),其中,所述浮动扩散区域布置于所述掺杂阱内并在部分所述传输晶体管栅极下方延伸;衬底;以及所述第二导电类型的外延层,其布置于所述衬底上,其中,所述外延层具有第三掺杂浓度,所述第三掺杂浓度不同于所述第一掺杂浓度以及所述第二掺杂浓度。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |