一种半导体器件

摘要

提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底(1001)；在半导体衬底上的栅极、栅极两侧的侧墙、和源区/漏区；位于源区/漏区上的下接触部，下接触部与侧墙的外壁近邻，且底部覆盖源区/漏区的至少一部分，同一晶体管的源区/漏区之间通过层间介质层隔离；形成在栅极、侧墙、源区/漏区和下接触部上的层间介质层，和在层间介质层中形成的与下接触部相对应的上接触部(1013)。还提供了半导体器件的制造方法，该方法适用于制造半导体器件的接触部。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的栅极、所述栅极两侧的侧墙、以及所述侧墙两侧的源/漏区；位于所述源/漏区上的下接触部，所述下接触部与所述侧墙的外壁紧邻形成，且底部覆盖所述源/漏区的至少一部分，同一晶体管结构的源/漏区之间通过层间介质层进行隔离；形成在所述栅极、侧墙、源/漏区以及下接触部上的层间介质层，以及在所述层间介质层中形成的与所述下接触部相对应的上接触部，所述下接触部由依次淀积的第一衬层和第一导电材料层形成，其中，所述第一衬层由包括TiN、TiAlN、TaN、TaAlN、Ta和Ti中任一种或其组合。