| 发明名称 | 一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种多晶硅太阳电池减反射膜，它包括三层膜，第一层膜为热氧化法生长的二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜，二氧化硅膜厚度为8-12nm，折射率为2.1-2.3，第一层氮氧化硅膜厚度为15-25nm，折射率为1.9-2.0，第三层氮氧化硅膜厚度为30-50nm，折射率为1.7-1.9。该三层减反射膜能大幅度降低膜表面反射率，二氧化硅层具有高损伤阈值和优良的光学性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的优良特性，因此，能够很好地提高光学转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103000704A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210401540.1 | 申请日期 | 2012.10.22 |
| 申请人 | 江苏晨电太阳能光电科技有限公司 | 发明人 | 张晨;张森林 |
| 分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 张惠忠 |
| 主权项 | 一种多晶硅太阳电池减反射膜，其特征在于它包括三层膜，第一层膜为热氧化法生长的二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜，所述的二氧化硅膜厚度为8‑12nm，折射率为2.1‑2.3，所述的第一层氮氧化硅膜厚度为15‑25nm，折射率为1.9‑2.0，所述的第三层氮氧化硅膜厚度为30‑50nm，折射率为1.7‑1.9。 | ||
| 地址 | 223700 江苏省宿迁市泗阳县经济开发区文成东路206号 | ||