| 发明名称 | 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开具有波长变换层的发光二极管芯片、制造此的方法以及具备此的封装件。根据一形态，所述发光二极管芯片，包括：基板；半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为位于所述基板上面的氮化镓系化合物半导体层叠结构，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；电极，电连接于所述半导体层叠结构体；附加电极，形成于所述电极上；波长变换层，覆盖所述半导体层叠结构体的上部。进而，所述附加电极贯穿所述波长变换层。据此，可提供能够执行变换光的波长，且可容易地键合引线的发光二极管芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN103003966A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201080068136.6 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 首尔半导体株式会社 | 发明人 | 郑井和;金枋显 |
| 分类号 | H01L33/50(2006.01)I;H01L33/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;张云珠 |
| 主权项 | 一种发光二极管芯片，包括：基板；半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为位于所述基板上的氮化镓系化合物半导体层叠结构，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；电极，电连接于所述半导体层叠结构体；附加电极，形成于所述电极上；波长变换层，覆盖所述半导体层叠结构体的上部，所述附加电极贯穿所述波长变换层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||