发明名称 等离子体处理装置
摘要 本发明提供一种等离子体处理装置,对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置,具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括:对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱;配设于等离子体生成箱的ICP电极;和与电极连接的高频电源。
申请公布号 CN101378007B 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN200810171431.9 申请日期 2008.08.29
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 松浦广行;高桥俊树;福岛讲平
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置,其特征在于,包括:纵长的处理容器,其具有容纳所述被处理体的处理区域,并且能够设定成气密状态;保持件,在所述处理容器内以相互隔开间隔在垂直方向上层叠的状态保持所述被处理体;气体供给系统,向所述处理容器内供给处理气体;排气系统,对所述处理容器内进行排气;和活性化机构,其在处理容器的侧壁的一部分,沿处理容器的高度方向配设,以使所述处理气体等离子体化,所述活性化机构包括:纵长的等离子体生成箱,对应所述处理区域安装在所述处理容器上、并且形成与所述处理区域气密地连通的等离子体生成区域;配设于所述等离子体生成箱的ICP(Inductively Coupled Plasma:感应耦合等离子体)电极;和与所述电极连接的高频电源,并且,在所述等离子体生成箱和所述电极之间设置有静电屏蔽,所述静电屏蔽具备与所述电极绝缘且接地的导电体。
地址 日本东京都