MODULATION-DOPED HALO IN QUANTUM WELL FIELD-EFFECT TRANSISTORS, APPARATUS MADE THEREWITH, AND METHODS OF USING SAME,申请号EP20100744109-传众专利搜索

发明名称	MODULATION-DOPED HALO IN QUANTUM WELL FIELD-EFFECT TRANSISTORS, APPARATUS MADE THEREWITH, AND METHODS OF USING SAME
摘要
申请公布号	EP2399283(A4)	申请公布日期	2013.03.27
申请号	EP20100744109	申请日期	2010.01.26
申请人	INTEL CORPORATION	发明人	PILLARISETTY, RAVI;RAKSHIT, TITASH;HUDAIT, MANTU;RADOSAVLJEVIC, MARKO;DEWEY, GILBERT;CHU-KUNG, BENJAMIN
分类号	H01L29/778;H01L21/336;H01L29/205;H01L29/207;H01L29/423	主分类号	H01L29/778
代理机构		代理人
主权项
地址