发明名称 |
X-射线检测器和X-射线CT设备 |
摘要 |
本发明涉及X-射线检测器和X-射线CT设备。将实现一种仅用一层半导体就可适于低通量率到高通量率的X-射线检测器,以及一种具有这种X-射线检测器的X-射线CT设备。X-射线检测器使用将X-射线的光子直接转换成电信号的半导体,其装配有具有检测单元阵列的单层半导体衬底,该检测单元将X-射线的光子直接转换成电信号;第一数据收集装置,其以光子计数模式收集关于检测单元的数据;以及第二数据收集装置,其以电流测量模式收集关于检测单元的数据。该第一数据收集装置和第二数据收集装置收集关于不同检测单元的数据。 |
申请公布号 |
CN101569530B |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN200810094969.4 |
申请日期 |
2008.04.30 |
申请人 |
GE医疗系统环球技术有限公司 |
发明人 |
孙云峰;董加勤;李剑颖 |
分类号 |
A61B6/03(2006.01)I;G01T1/161(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I;H01L31/00(2006.01)I |
主分类号 |
A61B6/03(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张雪梅;刘宗杰 |
主权项 |
一种使用将X‑射线的光子直接转换成电信号的半导体的X‑射线检测器,该X‑射线检测器包括:具有检测单元的阵列的单层半导体衬底,所述检测单元将X‑射线的光子直接转换成电信号;第一数据收集装置,其以光子计数模式收集关于所述检测单元的数据;以及第二数据收集装置,其以电流测量模式收集关于所述检测单元的数据,其中,所述检测单元的阵列具有:布置在所述半导体衬底的前面和背面的其中之一上的公共电极;以及布置在所述半导体衬底的前面和背面的另一个上的多个独立电极,其中每个独立电极被配置成共享一个像素的两个电极,并且其中所述两个电极中的一个连接到所述第一数据收集装置,而所述两个电极中的另一个连接到所述第二数据收集装置。 |
地址 |
美国威斯康星州 |