发明名称 |
薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法、以及显示器件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及一种采用此薄膜晶体管的显示器件的制造方法,借助于简化制造工艺,能够以更低的成本和更高的成品率来制造这种薄膜晶体管。根据本发明,利用滴珠喷射方法来形成用于图形化工艺的图形。借助于选择性地喷射包含有机树脂的组分来形成图形。利用此图形,导电材料、绝缘体、或构成半导体元件的半导体,被简单的工艺图形化成所需的形状。 |
申请公布号 |
CN1842745B |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN200480024785.0 |
申请日期 |
2004.08.25 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
前川慎志;福地邦彦;藤并严;村中孝司;中村理 |
分类号 |
G03F7/16(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/16(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
一种薄膜晶体管制造方法,包含下列步骤:形成第一电导体;以层叠的方式在第一电导体上形成第一绝缘体和半导体;在半导体上形成第一图形;利用第一图形,对半导体进行图形化;在图形化的半导体上通过直接描绘第二图形而形成第二图形;借助于利用第二图形作为掩模将杂质掺入到半导体中而形成源区和漏区;形成与源区的上表面和侧表面相接触、并仅与第二图形的侧表面相接触、且与第一绝缘体的上表面相接触的源电极;以及形成与漏区的上表面和侧表面相接触、并仅与第二图形的侧表面相接触、且与第一绝缘体的上表面相接触的漏电极,其中,第一和第二图形各借助于通过滴珠喷射方法选择性地喷射包含有机树脂的组分而被形成,且其中,第一电导体、源电极和漏电极各借助于选择性地喷射包含导电材料的组分而被形成。 |
地址 |
日本神奈川 |