制备Ⅲ-N体晶和自支撑Ⅲ-N衬底的方法以及Ⅲ-N体晶和自支撑Ⅲ-N衬底

摘要

本发明描述一种制备III-N体晶的方法，其中，III代表选自元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，III-N体晶通过气相外延在衬底上生长，并且其中生长速率是即时测量的。通过原位，即在外延生长过程中，主动测量和控制生长速率，可以将实际生长速率保持在基本恒定。由此，可以获得在生长方向上以及在与生长方向垂直的生长平面内分别具有优异晶体质量的III-N体晶以及从上面分离的单个的III-N单晶衬底。

主权项

一种制备III‑N体晶的方法，其中，III代表元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，III‑N体晶通过气相外延在衬底或者模板上生长，生长速率是即时测量的且通过即时控制将生长前表面的位置保持恒定。