发明名称 |
一种具有溶剂分子磁响应镝配位聚合物材料及制备方法 |
摘要 |
一种具有溶剂分子磁响应的镝配位聚合物材料,为具有单分子磁体行为的镝(III)配位聚合物,其化学式为{[Dy(INO)2(NO3)]},不对称单元含有一种配位环境的镝离子和存有三种连接模式的HINO配体,双核镝单元之间通过两个配体进一步连接形成三维孔状结构;其制备方法是:将Dy(NO3)3·6H2O与HINO混合并在溶剂中溶解,加热反应后经过滤、洗涤所得固体,再与乙腈混合,加热反应后除去乙腈即可。本发明的优点是:该镝配位聚合物材料结构新颖,为基于异烟酸氮氧化物配体且含有纳米孔洞的三维配位聚合物,展现出慢磁弛豫行为,可用作信息存储材料;其制备方法工艺简单、易于实施,产率高,有利于大规模推广应用。 |
申请公布号 |
CN102993222A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201210559155.X |
申请日期 |
2012.12.20 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
程鹏;那勃;师唯;张振杰 |
分类号 |
C07F5/00(2006.01)I;G11B5/62(2006.01)I |
主分类号 |
C07F5/00(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
1.一种具有溶剂分子磁响应的镝配位聚合物材料,其特征在于:为具有单分子磁体行为的镝(III)配位聚合物,其化学式为{[Dy(INO)<sub>2</sub>(NO<sub>3</sub>)]},式中:配体HINO为异烟酸氮氧化物;该镝配位聚合物中有一种配位环境的镝离子和存有三种连接模式的HINO配体;该镝配位聚合物属晶体属单斜晶系,空间群为P2<sub>1</sub>/c,晶胞参数为:<img file="FDA00002625322300011.GIF" wi="1126" he="52" />α=γ=90°,β=108.959(3)°;所述镝配位聚合物中有一种配位环境的镝离子,镝离子位于一个近似于C<sub>4v</sub>对称性的对称中心,与分别来自于六个异烟酸氮氧化物的七个羧基氧原子和来自于一个硝酸根上的两个氧原子配位;两个镝离子间通过两个μ2氧原子和两个羧基氧原子桥连形成一个双核镝单元,双核镝单元之间通过两个配体进一步连接形成三维孔状结构。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |