| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施方案，包括：Si衬底；形成于Si衬底表面之上的Si氧化物层；形成于Si氧化物层之上的成核层，成核层露出Si氧化物层的一部分；以及形成于Si氧化物层和成核层之上的化合物半导体堆叠结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103000683A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210262740.3 | 申请日期 | 2012.07.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 山田敦史 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H02M5/458(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：Si衬底；形成于所述Si衬底的表面之上的Si氧化物层；形成于所述Si氧化物层之上的成核层，所述成核层露出所述Si氧化物层的一部分；以及形成于所述Si氧化物层和所述成核层之上的化合物半导体堆叠结构。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||