| 发明名称 | 一种消除阈值电压影响的电荷泵 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种消除阈值电压影响的电荷泵，该电荷泵是对CTS2电荷泵结构进行改良，用PMOS管替换CTS2电荷泵结构中作为最后一级传输管的NMOS管，并用该PMOS管控制电压通过时钟的高低变化实现在0与输出电压之间的切换。本发明的电路结构简单，提高了输出电压和效率，有利于该发明的推广和应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103001487A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201110264978.5 | 申请日期 | 2011.09.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;刘阿鑫;谢常青;霍宗亮;张满红;张君宇;陈映平;潘立阳 |
| 分类号 | H02M3/07(2006.01)I | 主分类号 | H02M3/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种消除阈值电压影响的电荷泵，其特征在于，该电荷泵是对CTS2电荷泵结构进行改良，用PMOS管替换CTS2电荷泵结构中作为最后一级传输管的NMOS管，并用该PMOS管控制电压通过时钟的高低变化实现在0与输出电压之间的切换。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||