改善窄铜填充过孔的导电性的方法及结构

摘要

提供了一种改善铜（Cu）填充过孔的导电性的技术。在一方面，提供一种制造Cu填充过孔的方法。该方法包含下列步骤。在电介质中蚀刻过孔。该过孔由扩散阻挡层加衬。薄钌(Ru)层被保形地沉积到该扩散阻挡层上。薄Cu晶种层被沉积在该Ru层上。进行第一退火以增加该Cu晶种层的晶粒尺寸。用附加的Cu填充该过孔。进行第二退火以增加该附加的Cu的晶粒尺寸。

主权项

一种制造铜填充过孔的方法，包括以下步骤：在电介质中蚀刻过孔；用扩散阻挡层为所述过孔加衬；将钌层保形沉积到所述扩散阻挡层上；在所述钌层上沉积铜晶种层；进行第一退火以增加所述铜晶种层的晶粒尺寸；用附加的铜填充所述过孔；以及进行第二退火以增加所述附加的铜的晶粒尺寸。