外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边缘位于隔离氧化层的上方，外基区全部位于隔离氧化层的上方。外基区上表面与发射区上表面形成平整表面，外基区与发射区由侧墙隔离。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管有效地减小了基区-集电区结寄生电容，改善了器件的性能。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模生产加工。

主权项

一种外基区与集电区隔离的双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括集电区，设置在所述集电区上的本征基区和隔离氧化层，设置在所述隔离氧化层上的外基区，设置在所述本征基区上的发射区，以及设置在所述发射区侧面的侧墙；所述本征基区的边缘位于所述隔离氧化层的上方，所述外基区全部位于所述隔离氧化层的上方；所述外基区上表面与所述发射区上表面形成平整表面，所述外基区与所述发射区由所述侧墙隔离。