| 发明名称 | 控制离子注入工艺的方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种用于离子注入一致性的方法，包括确定半导体晶片的关键尺寸(CD)偏差，在离子注入过程中以二维模式移动半导体晶片，以及控制半导体晶片的移动速度以使得注入到半导体晶片的注入量基于CD偏差而变化。 | ||
| 申请公布号 | CN101819926B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200910177849.5 | 申请日期 | 2009.09.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑逎汉;陈其贤 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种控制离子注入工艺的方法，包括：确定位于半导体晶片的第一区域中的特征的第一关键尺寸CD和位于所述半导体晶片的第二区域中的特征的第二CD，确定半导体晶片的CD的偏差，其中，所述半导体晶片具有形成在其上的多个特征；在离子注入过程中以二维模式移动所述半导体晶片；以及控制所述半导体晶片的移动速度以使得注入到所述半导体晶片中的注入量基于所述CD偏差而变化；其中当所述离子注入到所述第一区域时，以第一速度移动所述半导体晶片，当所述离子注入到所述第二区域时，以不同于所述第一速度的第二速度移动所述半导体晶片。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||